رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IQE046N08LM5CGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IQE046N08LM5CGATMA1-DG
وصف:
TRENCH 40<-<100V
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-3
المخزون:
4990 قطع جديدة أصلية في المخزون
12991536
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IQE046N08LM5CGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.6A (Ta), 99A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 47µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3250 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TTFN-9-3
العبوة / العلبة
9-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
IQE046
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-IQE046N08LM5CGATMA1TR
448-IQE046N08LM5CGATMA1CT
448-IQE046N08LM5CGATMA1DKR
SP005633163
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPF015N10N5ATMA1
TRENCH >=100V
IAUTN12S5N018GATMA1
MOSFET_(120V 300V)
MSJPF20N65A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F