رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IQE046N08LM5SCATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IQE046N08LM5SCATMA1-DG
وصف:
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WHSON-8
المخزون:
6000 قطع جديدة أصلية في المخزون
13004216
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IQE046N08LM5SCATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.6A (Ta), 99A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 47µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3250 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-WHSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
IQE046
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
6,000
اسماء اخرى
448-IQE046N08LM5SCATMA1DKR
448-IQE046N08LM5SCATMA1CT
448-IQE046N08LM5SCATMA1TR
SP005632167
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
GSFN2306
MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
GSFH0980
MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
SSFB3910L
MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 30V,
