رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IQE220N15NM5CGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IQE220N15NM5CGATMA1-DG
وصف:
TRENCH >=100V
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-3
المخزون:
13002582
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IQE220N15NM5CGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.6V @ 46µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TTFN-9-3
العبوة / العلبة
9-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
IQE220N15
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
SP005399463
448-IQE220N15NM5CGATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IAUTN12S5N018TATMA1
MOSFET_(120V 300V)
DMP3021SPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
NVMYS005N10MCLTWG
PTNG 100V LL LFPAK4
