رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF1407STRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF1407STRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
3999 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804678
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF1407STRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF1407
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
IRF1407STRLPBFTR
SP001564712
IRF1407STRLPBFCT
IRF1407STRLPBFDKR
IRF1407STRLPBF-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
IRF6609TRPBF
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
