رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF1902PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF1902PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12809200
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF1902PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.7V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
310 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
*IRF1902PBF
SP001550948
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF3711ZSTRL
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRFZ34NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
IRFR3704TRPBF
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
