الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3205Z
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3205Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12803869
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3205Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IRF3205Z
ورقة بيانات HTML
IRF3205Z-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF3205Z
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK9608-55B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
43182
DiGi رقم الجزء
BUK9608-55B,118-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF3205ZPBFAKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF3205ZPBFAKSA1-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRFB3306PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5368
DiGi رقم الجزء
IRFB3306PBF-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
HUF75344P3
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
601
DiGi رقم الجزء
HUF75344P3-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AUIRF3205Z
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2535
DiGi رقم الجزء
AUIRF3205Z-DG
سعر الوحدة
1.31
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF150P220XKMA1
MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
IRFZ48NSTRR
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IRFR4105ZPBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IRF3704ZCSTRLP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK