رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3575DTRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3575DTRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
المخزون:
12804187
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3575DTRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
303A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
32-PowerWFQFN
حزمة جهاز المورد
32-PQFN (6x6)
رقم المنتج الأساسي
IRF3575
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2166-IRF3575DTRPBF-448
SP001528872
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2 (1 Year)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7501TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
IRF7311TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
IRF7905PBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO