رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3707SPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3707SPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12804709
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3707SPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
62A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1990 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
87W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001574646
*IRF3707SPBF
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R3-30BL,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9945
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN017-30BL,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
1868
DiGi رقم الجزء
PSMN017-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6215STRR
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7807ZPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
