رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3707Z
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3707Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 59A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12815642
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3707Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
59A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1210 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF3707Z
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4699
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9215
DiGi رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRLB8721PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
18825
DiGi رقم الجزء
IRLB8721PBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3139KL3-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA DFN1006-3
IPA95R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO220
SPB80N06S2-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
