IRF3717TRPBF-1

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRF3717TRPBF-1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRF3717TRPBF-1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

وصف تفصيلي:

N-Channel 20 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12804583

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

IRF3717TRPBF-1 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Infineon Technologies

تعبئة

-

سلسلة

HEXFET®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

20A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.45V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

33 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2890 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

IRF3717TRPBF-1-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

4,000

اسماء اخرى

SP001551068

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

IRF6201PBF

MOSFET N-CH 20V 27A 8SO

infineon-technologies

IPI65R310CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

infineon-technologies

IPP80N06S405AKSA2

MOSFET N-CHANNEL_55/60V

IRF7822PBF

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO