رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF3717TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF3717TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12804979
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF3717TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.45V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2890 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF3717PBFDKR
IRF3717PBFTR
SP001559604
*IRF3717TRPBF
IRF3717PBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7832TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13071
DiGi رقم الجزء
IRF7832TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
AO4402
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
25808
DiGi رقم الجزء
AO4402-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7420
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
IRFH5250DTR2PBF
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
IRF6610TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
