رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF40DM229
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF40DM229-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 159A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric MF
المخزون:
4 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803855
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF40DM229 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
StrongIRFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
159A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.85mOhm @ 97A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5317 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DirectFET™ Isometric MF
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MF
رقم المنتج الأساسي
IRF40DM229
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
SP001576692
IRF40DM229TR
IRF40DM229CT
IRF40DM229DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF40DM229
المُصنِّع
International Rectifier
الكمية المتاحة
4396
DiGi رقم الجزء
IRF40DM229-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF1405STRR
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
IRFI4905
MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP
IRF450
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AA
