الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF4104SPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF4104SPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12806464
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF4104SPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRF4104
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRF4104(S,L)PbF
مخططات البيانات
IRF4104SPBF
ورقة بيانات HTML
IRF4104SPBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF4104SPBF
SP001551088
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB150NF55T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
969
DiGi رقم الجزء
STB150NF55T4-DG
سعر الوحدة
1.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPB015N04LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1708
DiGi رقم الجزء
IPB015N04LGATMA1-DG
سعر الوحدة
2.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN8R0-40BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
PSMN8R0-40BS,118-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK9609-40B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5268
DiGi رقم الجزء
BUK9609-40B,118-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK765R2-40B,118
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
23190
DiGi رقم الجزء
BUK765R2-40B,118-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPA03N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-FP
IRLR4343TRL
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
IRF6631TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
SPP21N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3