رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF5851TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF5851TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6TSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12803304
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF5851TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A, 2.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
960mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
رقم المنتج الأساسي
IRF58
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IRF5851TRPBFDKR
SP001561866
IRF5851TRPBF-DG
IRF5851TRPBFCT
IRF5851TRPBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2 (1 Year)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO6604
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
165405
DiGi رقم الجزء
AO6604-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSL215CH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
23807
DiGi رقم الجزء
BSL215CH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSL806NL6327HTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
IRF7752TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
