رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6215LPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6215LPBF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
وصف تفصيلي:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
12804876
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6215LPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
860 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001564822
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR3707ZPBF
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
IPB65R280E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
IPB80N06S205ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
