رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6601
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6601-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
المخزون:
12803935
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6601 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
26A (Ta), 85A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3440 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MT
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MT
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
IRF6601TR
IRF6601CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPSA70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
IRF1010EZ
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
IRFS4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
