رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6616TR1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6616TR1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
المخزون:
12804856
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6616TR1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Ta), 106A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3765 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MX
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MX
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IRF6616TR1TR
SP001530686
IRF6616TR1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
IRF9Z34NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRFI7536GPBF
MOSFET N-CH 60V 86A TO220
