رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6619
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6619-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
المخزون:
13859 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804774
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6619 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Ta), 150A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.45V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5040 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MX
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MX
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
SP001526848
IRF6619CT
IRF6619TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF6619TR1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7158
DiGi رقم الجزء
IRF6619TR1-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IRF6619TR1PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2000
DiGi رقم الجزء
IRF6619TR1PBF-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW60R250CP
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRFZ46NSTRL
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
