رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6633ATR1PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6633ATR1PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 69A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MU
المخزون:
12804130
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6633ATR1PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 69A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1410 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MU
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MU
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP001528328
IRF6633ATR1PBFTR
IRF6633ATR1PBFDKR
IRF6633ATR1PBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS17N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
IRF3704PBF
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
IRF6609TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
