رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6636TR1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6636TR1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
المخزون:
12802651
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6636TR1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 81A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.45V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2420 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ ST
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric ST
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IRF6636TR1CT
IRF6636TR1TR
SP001532396
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EPC2034
GANFET N-CH 200V 48A DIE
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPP21N03L G
MOSFET N-CH TO-220
