رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6713STRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6713STRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 22A (Ta), 95A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
المخزون:
12818621
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6713STRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta), 95A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2880 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ SQ
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric SQ
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
SP001532360
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVTFS4C05NTAG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1500
DiGi رقم الجزء
NVTFS4C05NTAG-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMTH6004LPS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
DMTH6004LPS-13-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFIZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
IRLR8259TRPBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
DN2470K4-G
MOSFET N-CH 700V 170MA TO252
