IRF6775MTRPBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRF6775MTRPBF

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRF6775MTRPBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

المخزون:

13349 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804047
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRF6775MTRPBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.9A (Ta), 28A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1411 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MZ
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MZ
رقم المنتج الأساسي
IRF6775

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
4,800
اسماء اخرى
IRF6775MTRPBFCT
IRF6775MTRPBFDKR
IRF6775MTRPBFTR
SP001562042
IRF6775MTRPBF-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRF8113

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

infineon-technologies

IRF300P226

MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC

infineon-technologies

IPN95R1K2P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 6A SOT223

infineon-technologies

IPA80R1K4P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F