رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7201
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7201-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12805646
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7201 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
*IRF7201
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN3B04N8TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2078
DiGi رقم الجزء
ZXMN3B04N8TA-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STS10N3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4575
DiGi رقم الجزء
STS10N3LH5-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN3024LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2318
DiGi رقم الجزء
DMN3024LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP80N04S3H4AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRLMS6802TRPBF
MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
IRF7842PBF
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO