الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7220TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7220TRPBF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 14 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12807577
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7220TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
14 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
600mV @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
125 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8075 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IRF7220TRPBF
ورقة بيانات HTML
IRF7220TRPBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7220PBFDKR
*IRF7220TRPBF
IRF7220PBFCT
SP001571468
IRF7220PBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6576
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6797
DiGi رقم الجزء
FDS6576-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMP2022LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
37400
DiGi رقم الجزء
DMP2022LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NTMS10P02R2G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2644
DiGi رقم الجزء
NTMS10P02R2G-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF7425TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6024
DiGi رقم الجزء
IRF7425TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPW11N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
IRL3713SPBF
MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
SPW52N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3
IRL3715SPBF
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK