رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7303TRPBFXTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7303TRPBFXTMA1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
المخزون:
11995 قطع جديدة أصلية في المخزون
13000536
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7303TRPBFXTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel
ميزة FET
Standard
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.9A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
PG-DSO-8-902
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
448-IRF7303TRPBFXTMA1TR
448-IRF7303TRPBFXTMA1CT
448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR
SP005876271
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
2N7002DWK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
IRF8910TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8DSO-902