رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7309TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7309TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
المخزون:
21967 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802853
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7309TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A, 3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.4W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF73
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7309PBFCT
IRF7309PBFDKR
IRF7309PBFTR
SP001554164
*IRF7309TRPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7325PBF
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
IRF7304QTRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
IRF8910GTRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO