رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7316TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7316TRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
17485 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806375
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7316TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
58mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF731
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7316PBFDKR
SP001565294
*IRF7316TRPBF
IRF7316PBFCT
IRF7316PBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFH4251DTRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A TISON8
IRF7105PBF
MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
IRFHM8363TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN