رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7317TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7317TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
8709 قطع جديدة أصلية في المخزون
12859965
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7317TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.6A, 5.3A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF731
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7317PBFTR
SP001554184
IRF7317PBFCT
IRF7317PBFDKR
*IRF7317TRPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMC2020USD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMC2020USD-13-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS9934C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
256
DiGi رقم الجزء
FDS9934C-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA1857GR-9JG-E1-A
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8TSSOP
NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMFD4C85NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
