رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7321D2TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7321D2TR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12805592
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7321D2TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
FETKY™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
62mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 25 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STS5P3LLH6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
23281
DiGi رقم الجزء
STS5P3LLH6-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RRH050P03TB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2491
DiGi رقم الجزء
RRH050P03TB1-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLU8726PBF
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
IRFS3006TRL7PP
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
IRL3103D1PBF
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
