رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7325
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7325-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12807012
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7325 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2020pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF732
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
*IRF7325
Q1153815D
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL6372PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
IRF7905TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
IRF7105QTRPBF
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC