رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7331TRPBF-1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7331TRPBF-1-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12805145
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7331TRPBF-1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1340pF @ 16V
الطاقة - الحد الأقصى
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
IRF733
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SP001555168
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMG9926USD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
119779
DiGi رقم الجزء
DMG9926USD-13-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF9362TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
IRF7506TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
IRFI4024H-117P
MOSFET 2N-CH 55V 11A TO220-5