رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7380TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7380TRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
7278 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804531
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7380TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
73mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF7380
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7380TRPBFDKR
SP001574936
IRF7380TRPBF-DG
IRF7380TRPBFCT
IRF7380TRPBFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF8852TRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
IRF6156
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 6FLIPFET
IPG20N10S4L22ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON