IRF7453
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRF7453

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRF7453-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

المخزون:

12816267
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRF7453 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
930 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
*IRF7453

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRF7780MTRPBF

MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET

texas-instruments

CSD25483F4

MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR

infineon-technologies

IRFI530N

MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP

microchip-technology

2N7008-G

MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3