الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7477TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7477TR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804714
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7477TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2710 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRF7477
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4430BDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SI4430BDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
16306
DiGi رقم الجزء
FDS8880-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS6680A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2496
DiGi رقم الجزء
FDS6680A-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI4430BDY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2736
DiGi رقم الجزء
SI4430BDY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI126N10N3 G
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
IPP80P04P4L06AKSA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
IRFZ44ESPBF
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK