رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7507TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7507TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
المخزون:
60708 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805001
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7507TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Last Time Buy
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A, 1.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
700mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.25W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
حزمة جهاز المورد
Micro8™
رقم المنتج الأساسي
IRF7507
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7507TRPBFCT
IRF7507TRPBFDKR
IRF7507TRPBFTR
IRF7507TRPBF-DG
SP001555486
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7904TRPBF-1
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
IRF9389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
IRF7342PBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO