رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7530TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7530TRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.4A 1.3W Surface Mount Micro8™
المخزون:
8382 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808401
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7530TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1310pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.3W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
حزمة جهاز المورد
Micro8™
رقم المنتج الأساسي
IRF7530
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7530TRPBF-DG
2832-IRF7530TRPBF
IRF7530TRPBFCT
IRF7530TRPBFTR
SP001572074
2156-IRF7530TRPBF
IRF7530TRPBFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFI4212H-117P
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
IRF7904TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
