رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7606TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7606TR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
المخزون:
4432 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806321
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7606TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Micro8™
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7606DKR
IRF7606CT
SP001551468
*IRF7606TR
IRF7606
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7606TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8585
DiGi رقم الجزء
IRF7606TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
ZXM64P03XTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1959
DiGi رقم الجزء
ZXM64P03XTA-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLR3714PBF
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
IRF7426TR
MOSFET N-CH 20V 8SO
IPP60R099CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
