رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7805ATRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7805ATRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12805248
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7805ATRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7805ATRPBFTR-DG
IRF7805APBFTR
SP001570528
IRF7805APBFCT
IRF7805ATRPBF-DG
*IRF7805ATRPBF
IRF7805APBFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
16306
DiGi رقم الجزء
FDS8880-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI90N06S4L04AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
IRFS4610TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
IRFR13N20DCPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK