رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7807D1TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7807D1TR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12803693
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7807D1TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
FETKY™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SP001577472
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN3B04N8TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2078
DiGi رقم الجزء
ZXMN3B04N8TA-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STS10N3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4575
DiGi رقم الجزء
STS10N3LH5-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS4672A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
57500
DiGi رقم الجزء
FDS4672A-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP60R280P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
IRFC4668D
MOSFET N-CH WAFER
IPP041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
