رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7809ATR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7809ATR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12803281
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7809ATR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7300 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7809AVTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IRF7809AVTRPBF-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
16306
DiGi رقم الجزء
FDS8880-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS6670A
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
2525
DiGi رقم الجزء
FDS6670A-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFHM4231TRPBF
MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
IRF520NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
IRF9530NSPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
