رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7809AV
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7809AV-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12804077
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7809AV المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3780 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
اسماء اخرى
*IRF7809AV
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7809AVTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IRF7809AVTRPBF-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
SI4686DY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
7223
DiGi رقم الجزء
SI4686DY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI4420BDY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
SI4420BDY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF1405S
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
IRFH8303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
IRFR3711TRLPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK