الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7811TR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7811TR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 28 V 14A (Ta) 3.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12818369
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7811TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
28 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IRF7811TR
ورقة بيانات HTML
IRF7811TR-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO4576
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
33742
DiGi رقم الجزء
AO4576-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
16306
DiGi رقم الجزء
FDS8880-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI4386DY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
3140
DiGi رقم الجزء
SI4386DY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD16404Q5A
MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON
IRFS23N15D
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
IRFH5004TRPBF
MOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFN
IRF6798MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET