رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7821TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7821TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
16602 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803648
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7821TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1010 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 155°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
IRF7821
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7821PBFCT
IRF7821PBFTR
IRF7821PBFDKR
*IRF7821TRPBF
SP001577448
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP12CN10LGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
IPB120N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPU60R600C6AKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
