رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF9520NSTRL
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF9520NSTRL-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12807092
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF9520NSTRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
480mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9520STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1898
DiGi رقم الجزء
IRF9520STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.82
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF9520STRRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRF9520STRRPBF-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF9520SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1105
DiGi رقم الجزء
IRF9520SPBF-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR4105TRR
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
IRF5803
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
IRF8308MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
