رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF9540NSTRR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF9540NSTRR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12804485
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF9540NSTRR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
117mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
SP001555904
=94-2330
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF9540SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
210
DiGi رقم الجزء
IRF9540SPBF-DG
سعر الوحدة
1.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FQB22P10TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQB22P10TM-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF9540STRLPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5264
DiGi رقم الجزء
IRF9540STRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLR8729TRPBF
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
IRL3803
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
IRFR4615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK