رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFB3407ZPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFB3407ZPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
988 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805616
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFB3407ZPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.4mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4750 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFB3407
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
100
اسماء اخرى
SP001560202
2156-IRFB3407ZPBF-448
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF8327STRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
IRFP150MPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IRFU3504ZPBF
MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
