الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFB3507PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFB3507PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12806949
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFB3507PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
97A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.8mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3540 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
190W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRFB3507, IRFS(L)3507
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001565920
*IRFB3507PBF
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP80NF55-08
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
48
DiGi رقم الجزء
STP80NF55-08-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFB3307ZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1731
DiGi رقم الجزء
IRFB3307ZPBF-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7843
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP76NF75
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STP76NF75-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PHP29N08T,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
24178
DiGi رقم الجزء
PHP29N08T,127-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFSL3307
MOSFET N-CH 75V 130A TO262
SPP20N60S5
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
IRLL2703
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRLU8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A IPAK