رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFB4019PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFB4019PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 17A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
743 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804430
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFB4019PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.9V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
80W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFB4019
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-IRFB4019PBF-448
SP001572370
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC100N04S5L1R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IRFS23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPP17N25S3100AKSA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
