رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFB7430PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFB7430PBF-DG
وصف:
MOSFET N CH 40V 195A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
250 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805348
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFB7430PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
195A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
460 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14240 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFB7430
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001551786
IRFB7430PBF-DG
448-IRFB7430PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IPP60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
IRFS17N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
