رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFB7546PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFB7546PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
3129 قطع جديدة أصلية في المخزون
13064217
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFB7546PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
99W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRFB7546
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
INFINFIRFB7546PBF
2156-IRFB7546PBF
SP001560262
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF1310NL
MOSFET N-CH 100V 42A TO262
IPW90R120C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
IRFB4332PBF
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
